<<
>>

Микросхемы SDRAM

Стандартные типы микросхем DRAM, а также микросхемы FРМ DRAM, EDO DRAM и ВЕDО DRAM относятся к асинхронным устройствам. Фаза адреса, мо- менты выдачи управляющих сигналов и обмен данными у них могут начинаться в произвольные моменты времени.
Необходимо только точное соблюдение соот- ношений между действиями и сигналами по их длительности. В эти временные соотношения включены так называемые охранные интервалы, необходимые для стабилизации сигналов и кодов, которые не позволяют достичь теоретически возможного быстродействия памяти.

Поскольку тактовая частота процессора значительно превышает частоту опе- ративной памяти, процессору приходится совершать пустые циклы в ожидании ответа на свой запрос в оперативную память. Такие циклы ожидания, выпол- няемые во время обращения к асинхронным микросхемам памяти, существенно замедляют работу системы в целом.

Чтобы избавиться от этого эффекта, были разработаны синхронные типы микро- схем памяти, ориентирующиеся на импульсы тактового генератора, к которым жестко привязаны моменты выдачи адресов, управляющих сигналов и кодов данных.

В этом случае устраняется необходимость в большинстве циклов ожида- ния процессора и, кроме того, обеспечивается экономия времени за счет отсут- ствия охранных интервалов.

Появившиеся к 1997 г. микросхемы памяти, работающие в привязке к тактовым импульсам, называются SDRAM (от Synchronous DRAM — синхронизированная динамическая память). Ориентация на тактовые импульсы в синхронизированной памяти позволяет организовать совмещение во времени для значительно боль- шего количества этапов цикла памяти, запустив их конвейерное выполнение, а также увеличить продолжительность совмещений во времени. Помимо синхрон- ного метода чтения/записи в микросхемах SDRAM используется расслоение памяти на независимые банки, что позволяет совмещать выборку из одного банка с установкой адреса в другом банке. Кроме того, SDRAM поддерживает блочный обмен, характерный для микросхем ВЕDО DRAM, но стандартный пакет банка микросхемы SDRAM длиннее, он состоит из 32 байтов.

Эффективность микросхем SDRAM значительно выше, чем EDO или ВЕDО. Хотя цикл памяти имеет вид 5-1-1-1, то есть четыре операции проходят так же, как и у ВЕDО, за 8 тактов, SDRAM имеет длительность цикла 10 нс.

В некоторых разновидностях маркировки (спецификации) микросхем SDRAM указывается частота системной шины, то есть частота, на которой микросхемы могут работать. Например, спецификация РС66 означает, что допустимая частота системной шины у данной микросхемы памяти от 66 до 83 МГц, спецификация PC100 соответствует частоте системной шины 100-120 МГц, а спецификация PC 133 — частоте системной шины до 150 МГц. Время доступа у указанных микро- схем составляет 7-9 нс. Они обладают скоростью обмена от 256 до 1000 Мбайт/с. А стандартные объемы одной микросхемы памяти типа SDRAM составляют 128, 256 и 512 Мбайт.

7.4.6.

<< | >>
Источник: Степанов А. Н.. Архитектура вычислительных систем и компьютерных сетей. 2007

Еще по теме Микросхемы SDRAM:

  1. Статья 473. Субъекты права интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  2. Статья 474. Имущественные права интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  3. Статья 472. Засвидетельствование обретения права интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  4. Статья 480. Право предшествующего пользователя на компонование интегральной микросхемы
  5. Статья 475. Срок действия имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  6. Глава 40 - Гражданского кодекса Право интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  7. Статья 479. Признание прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы недействительными
  8. Статья 471. Пригодность компонования интегральной микросхемы для обретения права интеллектуальной собственности на нее
  9. Статья 476. Досрочное прекращение действия имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  10. Статья 477. Правовые последствия истечения срока действия исключительных имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  11. Статья 478. Восстановление действия досрочно прекращенных исключительных имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы