Микросхемы FРМ DRAM
Реализуется быстрый страничный режим следующим образом. В стандартном режиме после считывания или записи кода из ячейки микросхемы (или банка) восстанавливается исходный уровень обоих сигналов, RAS# и САS#. В памяти со страничным доступом после выбора страницы (строки матрицы) сигнал RAS# остается на низком уровне в течение нескольких установок адресов столбцов и со- ответствующих им сигналов САS#.
Такое состояние микросхемы называется открытой страницей. Таким образом, в первом цикле памяти устанавливаются оба адреса и оба сигнала, RAS# и САS#, а в каждом последующем цикле в фазе адреса устанавливается только сигнал САS#, что почти вдвое уменьшает время доступа для каждого последующего цикла памяти. Это позволяет в ускоренном режиме выполнять обработку ячеек, которые находятся в строке, выделенной по сигналу RАS#. Если для стандартной микросхемы DRAM цикл памяти имеет вид 5-5-5-5, то для микросхем типа FРМ DRAM эта диаграмма имеет вид 5-З-З-З. Обратите внимание на то, что длительность первого цикла памяти (5 тактов) больше, чем длительность всех следующих за ним циклов, работающих с той же самой строкой микросхемы (3 такта). Таким образом, если для выборки четырех последовательных ячеек в случае стандартной микросхемы требуется 20 тактов, то для выборки в страничном режиме нужно всего 14.Заметим, что выигрыш может получиться только в том случае, если программа действительно запрашивает данные из ячеек микросхемы (банка), находящихся в одной и той же строке микросхемы. Если программа запрашивает данные слу- чайным образом из разных строк, то микросхема FРМ DRAM не имеет преиму- ществ по сравнению со стандартной микросхемой DRAM. Но поскольку во мно- гих программах циклы обработки элементов массивов, размещенных в соседних полях памяти, встречаются довольно часто, микросхемы FРМ DRAM в целом эффективнее микросхем DRAM. Некоторые разновидности микросхем FРМ
DRAM поддерживают возможность чередования адресов, что дополнительно улучшает их характеристики.
Характерное время доступа для микросхем FРМ DRAM примерно 60 нс. А дли- тельность циклов памяти в уже открытой странице сокращается до 30 нс. Мик- росхемы FРМ DRAM могут работать на тактовых частотах системной шины до 66 МГц. В настоящее время они считаются устаревшими.
7.4.3.
Еще по теме Микросхемы FРМ DRAM:
- Статья 473. Субъекты права интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
- Статья 474. Имущественные права интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
- Статья 472. Засвидетельствование обретения права интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
- Статья 480. Право предшествующего пользователя на компонование интегральной микросхемы
- Статья 475. Срок действия имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
- Глава 40 - Гражданского кодекса Право интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
- Статья 479. Признание прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы недействительными
- Статья 471. Пригодность компонования интегральной микросхемы для обретения права интеллектуальной собственности на нее
- Статья 476. Досрочное прекращение действия имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
- Статья 477. Правовые последствия истечения срока действия исключительных имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
- Статья 478. Восстановление действия досрочно прекращенных исключительных имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
- 1. Понятие программы для ЭВМ, базы данных и топологии интегральной микросхемы и основные правила их охраны
- Статья 177. Нарушение прав на изобретение, полезную модель, промышленный образец, топографию интегральной микросхемы, сорт растений, рационализаторское предложение
- Гигабайты и гигабиты
- Тема 28. ПРАВО НА ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
- § 4. Временные ограничения авторского права (п. 1582-1584)