<<
>>

Микросхемы EDO DRAM

В 1995 г. был предложен вариант улучшения эффективности микросхем FРМ DRAM. Это улучшение обусловлено совмещением во времени считывания дан- ных с выхода микросхемы и фазы формирования адреса следующего столбца в одном и том же цикле памяти.
Для организации такого совмещения на выходе микросхемы был установлен дополнительный регистр-защелка, выполненный на обладающих большой скоростью триггерных вентилях. После выставления сигнала С AS# данные из текущей ячейки с большой скоростью записываются в этот регистр, а затем, пока они со стандартной скоростью передаются из ре- гистра на шину данных, на адресную шину микросхемы выставляется адрес следующего столбца. Таким образом, в цикле памяти фактически организован конвейер, когда разные устройства одновременно выполняют разные этапы в не- которой операции. В данном случае это контроллер памяти, выставляющий ад- рес следующего столбца, и шина данных, одновременно с контроллером считы- вающая код из регистра-защелки.

Микросхемы, работающие в описанном режиме, относят к типу EDO DRAM (от Extended Data Out DRAM — расширенное время удержания данных на выходе). Иногда этот режим называют гиперстраничным и обозначают НРМ DRAM (от Hyper Page Mode DRAM). Цикл памяти этого режима имеет структуру 5-2-2-2, и, таким образом, четыре последовательных считывания требуют всего 11 тактов. В режиме EDO DRAM примерно на 15 % по сравнению с FРМ DRAM ускоряется процесс считывания последовательных элементов массивов. При слу- чайной адресации такая память ничем не отличается от стандартной.

Характерное время доступа у микросхем EDO DRAM 50-70 нс, а длительность цикла при открытой странице доходит до 20 нс. Они могут работать на тактовых частотах до 66 МГц и также считаются устаревшими для использования в качестве оперативной памяти. Однако эти микросхемы могут использоваться в качестве собственной памяти некоторых внешних устройств (например, лазерных прин- теров).

7.4.4.

<< | >>
Источник: Степанов А. Н.. Архитектура вычислительных систем и компьютерных сетей. 2007

Еще по теме Микросхемы EDO DRAM:

  1. Статья 473. Субъекты права интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  2. Статья 474. Имущественные права интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  3. Статья 472. Засвидетельствование обретения права интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  4. Статья 480. Право предшествующего пользователя на компонование интегральной микросхемы
  5. Статья 475. Срок действия имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  6. Глава 40 - Гражданского кодекса Право интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  7. Статья 479. Признание прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы недействительными
  8. Статья 471. Пригодность компонования интегральной микросхемы для обретения права интеллектуальной собственности на нее
  9. Статья 476. Досрочное прекращение действия имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  10. Статья 477. Правовые последствия истечения срока действия исключительных имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  11. Статья 478. Восстановление действия досрочно прекращенных исключительных имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы